طراحی و شبیه سازی گیرنده برد کوتاه CMOS با توان مصرفی کم در باند ISM

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 603

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCEEM08_035

تاریخ نمایه سازی: 7 آبان 1398

چکیده مقاله:

بخشی از فن آوریهای بی سیم برای مسافتهای کوتاه توسعه یافته اند، که به عنوان ارتباطات بیسیم برد کوتاه شناخته می-شوند. در این سیستمها سیگنالها مسافت چندین سانتیمتری تا چند ده متری را طی میکنند. به همین منظور در این مقاله، یک گیرنده ابربازتولیدی برای استفاده در سیستمهای ارتباطی برد کوتاه طراحی و شبیه سازی شده است. معماری ابربازتولیدی به جهت مصرف توان پایین و تعداد قطعات کم انتخاب شده است. این معماری با جریان بایاس کم تقویت کنندگی بالایی داشته و یک فیلتر باند باریک مناسب می باشد .مهمترین بخش مصرف کننده توان در گیرنده ابربازتولیدی، نوسانگر آن است. با بهره بردن از نوسانگر زوج متقاطع CMOS، توان مصرفی این گیرنده کاهش یافته است. در طراحی مدار تشدید نوسانگر از سلف غیرفعال استفاده شده که با یک مدار RLC موازی مدلسازی شده است. در طبقه ورودی از یک LNA برای تطبیق امپدانس و ایزولاسیون استفاده شده است. در این گیرنده با استفاده از یک دروازه انتقال، زمان صفر شدن نوسان کاهش یافته است. هدف اصلی از این طراحی، کاهش توان مصرفی میباشد که در نهایت به کمک زوج متقاطع CMOS توان مصرفی مدار پیشنهادی تا حد زیادی کاهش یافت بطوریکه توان گیرنده پیشنهادی بدون طبقه LNA برابر 837 میکرو وات میباشد و با افزودن طبقه LNA توان مصرفی به میزان 112 میکرو وات افزوده شده و برابر با 0,949 میلی وات میگردد. پهنای باند این گیرنده 300 مگاهرتز می باشد.

نویسندگان

سهندچهر شعبانی

فارغ الاتحصیل کارشناسی ارشد، موسسه آموزش عالی پاسارگاد.

مسعود محزون

دانشیار بخش مهندسی برق و الکترونیک دانشکده مهندسی- دانشگاه صنعتی شیراز