بهبود ماکزیمم چگالی توان و اثر بدنه شناور در LDMOSFET با ایجاد چاه حفره ای SiGe و فلز شناور

  • سال انتشار: 1397
  • محل انتشار: اولین کنفرانس ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری ارتباطات
  • کد COI اختصاصی: ECTCONF01_056
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 579
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

زینب رمضانی

دکتری تخصصی مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی ، تهران

سحر نخبه زعیم

کارشناس مهندسی تکنولوژی الکترونیک، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی ، تهران

نساء برف چالان

کارشناس مهندسی تکنولوژی الکترونیک، دانشگاه فنی و حرفه ای کشور، دانشکده فنی دکتر شریعتی ، تهران

چکیده

ترانزیستورهای اثر میدان نفوذ افقی در راه انداز موتور، سوئیچ های توان و سیستمهای مخابراتی کاربرد دارند. اکثر ترانزیستورهای LDMOS با فناوری SOI ساخته میشوند. برتریهای این فناوری از جمله ایزولاسیون عالی، سرعت بالا و تلفات بدنه پایین باعث شده این نوع ترانزیستور به طور گستردهای در حوزه الکترونیک قدرت به کار رود. هر چند به دلیل وجود لایه اکسید مدفون مشکلاتی برای این ترانزیستور ایجاد میشود که کاربردهای آن را در مدارهای مجتمع توان و ولتاژ بالا محدود میکند، مشکل اصلی، ولتاژ شکست پایین این نوع افزاره هاست. در این مقاله ساختار جدیدی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور LDMOS معرفی شده است. ساختار LDMOS پیشنهادی دارای پنجره سیلیسیم-ژرمانیوم فرو رفته در زیر کانال عبور جریان و یک صفحه فلزی بین گیت و درین است. تحلیل عملکرد ساختار پیشنهادی توسط شبیه ساز Silvaco TCAD صورت گرفته است که نشاندهنده نتایج قابل توجهی از جمله یکنواختی پتانسیل الکتریکی، افزایش ولتاژ شکست، کاهش اثر بدنه شناور و در نهایت افزایش جریان درین بوده است.

کلیدواژه ها

ترانزیستور اثر میدان، LDMOS، ولتاژ شکست، تکنولوژی سیلیسیم روی عایق

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.