کنترل ساختار باند بلورهای فوتونیکی یک بعدی با استفاده از ویژگی غیرخطی لایه ها
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 319
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ADST-10-2_006
تاریخ نمایه سازی: 8 مهر 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار باند یک بلور فوتونیکی یک بعدی متشکل از دیالکتریکهای دولایه (لایه اول خلا و لایه دوم از جنسZnSe است) با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه شد. سپس، ساختار باند بلور فوتونیکی با در نظر گرفتن ویژگی غیرخطی لایهها و شدت بالای میدان تابشی برای مقادیر مختلف محاسبه گردید. تغییرات ضرایب شکست هر یک از لایهها در ضرایب گذردهی الکتریکی آنها اعمال شد. چون ضرایب عبور و بازتاب بلور به ضرایب گذردهی الکتریکی لایهها بستگی دارند، با تغییر ضرایب گذردهی الکتریکی لایهها، ساختار باند بلور هم تغییر کرد. نتایج نشان دادند که با افزایش شدت نورتابشی، پهنای فرکانسی شاخههای گاف باند کاهش یافته و در هر دو قطبش TE و TM اندکی به سمت فرکانسهای پایینتر شیفت یافتند. نتایج همچنین نشان دادند که شاخههای گاف باند جدید در فرکانسهای بالاتر ظاهر میشود. این امر نشان میدهد که ساختار باند بلور به وسیله شدت میدان تابشی قابل کنترل است. به منظور نشان دادن عملی این توانایی برای اپتیک غیرخطی، ساختار باند بلور اشاره شده در دو حالت خطی و غیرخطی به صورت تابعی از شدت میدان تابشی محاسبه و مقایسه شدند. چنین ساختارهایی میتوانند به عنوان پوششهای ضد بازتاب استفاده شوند که بازتاب از سطح را کاهش میدهند. درواقع، با پوششی از بلور فوتونیکی با کاف باند قابل کنترل توسط یک لایه غیرخطی اپتیکی بر روی ادوات جنگی، میتوان آنها را از دید رادار دشمن پنهان کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اکبر جعفری دولاما
دانشگاه ارومیه
عبدالله رحمت نظام آباد
دانشگاه ارومیه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :