High-Field Drift Velocity Limitation in Quasi-2D Nanostructures (1D Quantum Limit)

  • سال انتشار: 1386
  • محل انتشار: دومین کنفرانس نانوساختارها
  • کد COI اختصاصی: CNS02_189
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 3284
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Ismail Saad

Faculty of Electrical Engineering, University Technology of Malaysia

Mohammad Taghi Ahmadi

Razali Ismail

Vijay Arora

چکیده

The computation of ultimate drift velocity based on the asymmetrical distribution function for quasi-2D nanostructure and 1D quantum limit device has been revealed. The drift velocity is found to be ballistic that converts randomness in zero-field to streamlined one in a very high electric field. The limitation is due to appropriate thermal velocity in non - degenerately doped device that increases with the temperature. However, for degenerately doped device, the limitation is due to the Fermi velocity that increases with carrier concentration but independent of the temperature. The theory developed can be applied for an appropriate drain-current expression in 2D inverted channel of ballistic silicon nano-transistor.

کلیدواژه ها

Saturation velocity, Fermi velocity, Thermal velocity, nano-structures

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.