Effects of hydrostatic pressure on the binding energy and intra donor transition matrix elements in GaAs GaAlAs quantum wells doped with shallow donors
- سال انتشار: 1386
- محل انتشار: دومین کنفرانس نانوساختارها
- کد COI اختصاصی: CNS02_169
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1299
نویسندگان
Department of Physics, University of Guilan
چکیده
The effects of hydrostatic pressure on the shallow donor impurity binding energy in GaAs GaAlAs quantum wells have been studied in the effective mass approximation by using of variational technique for hydrogenic ground state 1s and excited states (2 ,2 ,3 ) x x s p p . It has been shown that these effects are generally functions of the position of impurity and quantum well width. We have also calculated intra donor squared transition matrix elements as functions of impurity position in the presence of hydrostatic pressure.کلیدواژه ها
Quantum well; Donors; Hydrostatic pressure; Binding energies; intra donor transitionمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.