THE EFFECT OF ACCELERATED ELECTRON IRRADIATION ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF Si/Ge1-xSix HETEROSTRUCTURE
- سال انتشار: 1389
- محل انتشار: ششمین کنفرانس بین‌المللی مسائل فنی و فیزیکی در مهندسی قدرت
- کد COI اختصاصی: ICTPE06_078
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1322
نویسندگان
Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
Institute of Radiation Problems, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
Institute of Cybernetics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku
چکیده
In the given work the growth properties of Ge1-xSix epitaxil films grown on the substrates Si were investigated. The structural perfection of the films was controlled by electron diffraction, electron microscopic and X-ray diffraction methods. It has been established that the surface structure of the sample Si/Ge1-xSix changes after irradiation by accelerated electrons Ф = 5⋅1015 cm—2, surface defects which play the role of trap for the reflected particles generate.کلیدواژه ها
Germanium–Silicon Alloy, Epitaxial Film,Heterostructur, Optical Absorption, Electroreflection,Energy of Electronsمقالات مرتبط جدید
- تاثیر نوروفیدبک بر آموزش کودکان مبتلا به ADHD و اختلالات خواندن: یک بررسی سیستماتیک
- بررسی نقش سیستم های پیشرانش جت و بهبود کارایی انتقال حرارت در انجین های فضاپیما
- مروری بر کاربرد داده کاوی در کشف دانش پنهان
- تجزیه و تحلیل ترمودینامیکی استفاده از یک چرخه دی اکسید کربن فوق بحرانی با اینترکولر، گرم کردن مجدد و احیاکننده برای بازیابی گرمای اتلافی یک توربین گازی
- کاربرد IOT در مهندس پزشکی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.