The Effects of Charged Impurity on the Electrical Properties of Buckled Silicene
- سال انتشار: 1397
- محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی فناوری های نوین در علوم
- کد COI اختصاصی: CMTS02_154
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 421
نویسندگان
Department of Electrical Engineering, Hamedan University of Technology, Hamedan ۶۵۱۵۵, Iran
چکیده
In this work, the electrical properties of armchair silicene nanoribbon (ASiNR) in the presence of charged impurity is studied. The non-equiblruim Green s function along with multi-orbital tight-binding is applied to obtain transmission probability. The charged impurities are located in the underlying substrate. Spin-flip along the channel is calculated by using spin transmission probability. Mean free path is reported in presence of a charged impurity.کلیدواژه ها
Silicene, Electrical transport, NEGF, Mean free path.مقالات مرتبط جدید
- بررسی به کارگیری سیستم ذخیره سازی انرژی با استفاده از منابع انرژی تجدیدپذیر
- اقدامات لازم برای حفاظت از محیط زیست دریایی
- ارائه طرح مبتنی بر رایانش ابری جهت ارتقاء بهره وری صنایع خودروسازی (مطالعه موردی: مدیران خودرو)
- مروری بر تکنولوژی ماکرویو برای خردایش سنگ های کمیاب
- کاربرد و بکارگیری تکنولوژی های اینترنت اشیا ، یادگیری ماشین و پردازش تصویر در امنیت و کنترل خودرو
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.