محمدمهدی داستانی - دانشجوی علوم و فناوری نانو، پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
مهرداد مرادی - دانشیار گروه علوم و فناوری نانو، پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
مریم مختاری - دانشجوی علوم و فناوری نانو، پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران

در این مقاله، آهن- نیکل با روش الکتروشیمیایی بر روی سیم غیر مغناطیسی با ضخامت 100 میکرومتر با استفاده از جریان پالسی و حمام سولفات از این فلزات لایه نشانی شد و اثر امپدانس مغناطیسی در این لایه ها بررسی گردید. زمان فعال لایه نشانی یکی از فاکتورهای مهم در لایه نشانی و پاسخ امپدانس مناطیسی را بهبود بخشید. در جریان پالسی زمان فعال با ایجاد سطحی مناسب باعث افزایش پاسخ امپدانس مغناطیسی شد. همچنین انتخاب زمان فعال مناسب، منجر به ایجاد یک آلیاژ نانو کریستال همگن می شود. تغییرات MI با تغییر ناهمسانگردی مغناطیسی سطح توضیح داده شد. نشان می دهد که اثر امپدانس مغناطیسی می تواند با موفقیت به عنوان یک گزینه الکتروشیمیایی برای بررسی ویژگی های الکتریکی الکترودهای مغناطیسی تغییر یافته سطح مورد استفاده قرار گیرد. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که مکانیزم رشد دانه می تواند بسته به جریان پالس متفاوت باشدکه امپدانس مغناطیسی از 48 تا 122 درصد برای برای لایه نشانی با جریان پالسی مشاهده می شود.

امپدانس مغناطیسی، لایه نشانی، مورفولوژی سطح، جریان پالسی، پراش پرتوی ایکس