ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

انسداد میدان الکتریکی جانبی از نواحی درین و سورس جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در افزاره Nano-SOI

سال انتشار: 1397
کد COI مقاله: JR_TJEE-48-3_005
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 140
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 8 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله انسداد میدان الکتریکی جانبی از نواحی درین و سورس جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در افزاره Nano-SOI

محمدکاظم انوری فرد - دانشکده فنی و مهندسی شرق گیلان - دانشگاه گیلان - رودسر

چکیده مقاله:

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید و رسیدن به ناحیه کانال را پیدا می کنند. افزایش رسانش موثر حرارتی ساختار پیشنهادی توانایی مضاعفی به ساختار جدید جهت کار در دماهای بالاتر می دهد. مقایسه ساختار ارائه شده با افزاره مرسوم نشان می دهد که پارامترهای مهمی همچون اثرات کانال کوتاه، دمای شبکه، میدان الکتریکی، تحرک پذیری الکترون، کندوکتانس درین و جریان نشتی به طور موثری بهبود یافته است که نمایانگر برتری ساختار پیشنهادی است. ساختارهای تحت مطالعه در این مقاله با استفاده از نرم افزار ATLAS که خود یکی از محصولات تجاری SILVACO است شبیه سازی شده است.

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا JR_TJEE-48-3_005 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/890104/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
انوری فرد، محمدکاظم،1397،انسداد میدان الکتریکی جانبی از نواحی درین و سورس جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در افزاره Nano-SOI،https://civilica.com/doc/890104

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1397، انوری فرد، محمدکاظم؛ )
برای بار دوم به بعد: (1397، انوری فرد؛ )
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • مهسا مهراد، میثم زارعی، ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان ... [مقاله ژورنالی]
  • حامد نجفعلی زاده، علی لصغر اروجی، طراحی ساختاری از ترانزیستور ...
  • J.P. Colinge, Silicon-on-insulator Technology: Materials to VLSI, third ed., Kluwer ...
  • E. Arnold, Silicon-on-insulator devices for high voltage and power IC ...
  • H. Aghababa, B. Ebrahimi, M. Saremi, V. Moalemi, B. Forouzandeh, ...
  • S. Rajabi, M. Saremi, H. J. Barnaby, A. Edwards, M. ...
  • Mohammad K. Anvarifard, Increase in the scattering of electric field ...
  • J. Ervin, A. Balijepalli, P. Joshi, V. Kushner, J. Yang, ...
  • J. Ervin, A. Balijepalli, P. Joshi, V. Kushner, J. Yang, ...
  • M. Rahimian, Ali A. Orouji, A novel nanoscale MOSFET with ...
  • M. Jagadesh Kumar, Anurag Chaudhry, Two-Dimensional Analytical Modeling of Fully ...
  • W. Long, H. Ou, J.-M. Kuo, and K. K. Chin, ...
  • Mohammad K. Anvarifard, Ali A. Orouji, Voltage difference engineering in ...
  • M. Zareiee, A novel high performance nano-scale MOSFET by inserting ...
  • H. Shahnazarisani, S. Mohammadi, Simulation analysis of a novel fully ...
  • ATLAS User’s Manual: 2-D Device Simulator, SILVACO International, Santa Clara, ...
  • J. Chen, J. Luo, Q. Wu, Z. Chai, T. Yu, ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: 14,217
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی