مروری بر روش های نیتریدسازی سیلیسیم و فرآیندهای اکسیداسیون بر روی زیرلایه های غیرسیلیکون (روش جایگذاری بخار شیمیایی CVD)

  • سال انتشار: 1397
  • محل انتشار: دومین کنگره ملی توسعه پژوهش های نوین در مهندسی برق کامپیوتر
  • کد COI اختصاصی: ECCIRD02_038
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 966
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

علی محمدی

گروه برق، موسسه آموزش عالی وحدت، تربت جام، ایران

محمدرضا اسماعیلی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه بیرجند، بیرجند، ایران

جواد حسن کاوه

اداره برق شهرستان تایباد، تایباد، ایران

چکیده

روش جایگذاری بخار شیمیایی (CVD) تکنولوژی است که به طور گسترده در پردازش مواد استفاده می شود. قابلیت تغییر این روش منجر به رشد سریع و تبدیل به یکی از روش های اصلی پردازش برای جایگذاری فیلم های نازک شده است. در واقع این روش پوششی برای رنج گسترده ای ازکاربردها شامل نیمه هادی هایی مثل گروه های سه و پنج و گروه های دو و شش برای میکروالکترونیک، الکترونیک نوری، وسایل و تجهیزات تبدیل انرژی و عایق ها در میکرو الکترونیک می باشد. در این مقاله به طور خلاصه به بررسی ویژگی های نیترید سیلیکون، نحوه رشد لایه نیترید سیلکون به صورت مستقیم و نیز روش های لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین (LPCVD) و لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار پلاسما دردمای پایین (PECVD) و نیز مقایسه آن ها پرداخته است. همچنین در این مقاله با توجه به انواع مختلف زیرلایه های غیرسیلیکون، نیترید سیلیکون ((Si(3)N(4) که به دلیل خواص جالب آن مانند استحکام بالا، سبک وزن، مقاومت خوب در برابر شوک های حرارتی و اکسیداسیون طیف گسترده ای از کاربردها را در صنایع متعدد دارد، مورد بررسی قرار می دهد.

کلیدواژه ها

نیتریدسیلیسیم ((Si(3)N(4)، اکسیداسیون CVD

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.