عبدالعلی ذوالانواری
اکبر زنده نام
آروز شفیعی

در این تحقیق لایه های نازک نقره با ضخامت 250nm با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی روی زیر لایه هائی از جنس سیلیکون انباشت شدند. لایه های رشد یافته، درجا تا دمای 400درجه سانتیگراد در محیط خلاء باز پخت شدند. الگوی پراش اشعهx این لایه ها در دمای اطاق و نیز در دماهای بالا در محیط خلاء، بررسی شدند. اندازه بلورک های نانوذرات نفره در دماهای مختلف محاسبه شدند. تغییر دمای تدریجی در خلاء تا دمای 925درجه سانتیگراد نشان میدهد که لایه نازک نقره دارای ساختار پایداری بوده ونیز جنانجه پس از لایه نشانی به صورت گرم ، درجا بازپخت صورت گیرد، ساختار لایه نشانده شده و اندازه بلورک های آن از کیفیت بهتری برخوردار خواهد بود.