فشاربستگی فرآیند ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون با استفاده از تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6
- سال انتشار: 1388
- محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
- کد COI اختصاصی: IPC88_110
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1258
نویسندگان
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا ، تهران
دانشگاه صنعتی مالک اشتر پردیس تهران
چکیده
اگر لیزر کانونی UV در مجاورت گاز SF6 بر سطح سیلیکون بتابد و نقطه کانونی در نزدیکی سطح باشد به علت جذب بالای سیلکون در طول موجهای UV با پدیده ذوب سطحی و همزمان با آن پدیده تشدید امواج سطحی مواجه هستیم. ظاهرا به همین علت است که بر سطح سیلیکون میکروساختاری با شکل منظم و عنصر تکراری مخروط ایجاد می گردد. در خواص هندسی عناصر تشکیل دهنده میکروساختار منظم خود انگیخته فشار گاز SF6 نقش اساسی ایفا می کند در این مقاله این نقش به صورت تجربی و نیز با ارائه مدلی مناسب به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- Analytical determination of flexural rigidity of thin-walled pultruded composite I-beams
- Matrix-Dominated Damage Process in CFRP Composite Laminates underFlexural Loading Condition
- Indentation Size Scale Effect on Mechanical Properties of Cold SprayCoating
- Determination of Forming Limit Diagrams for Tailor Welded Blanks
- Control of dynamic building façade: design, analysis and experiments
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.