Tunneling Magnetoresistance in Double –Barrier Magnetic Tunnel Junction
- سال انتشار: 1388
- محل انتشار: سومین کنفرانس نانوساختارها
- کد COI اختصاصی: CNS03_354
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1607
نویسندگان
Department of Physics, Qom branch, Islamic Azad University, Qom, Iran
Department of Physics, Tarbiat Moallem University, Tehran, Iran
Department of Physics, Qom branch, Islamic Azad University, Qom, Iran
Plasma Physics Center, Science and Reaserch Branch, Islamic Azad University (IAU), Tehran, Iran
چکیده
In the present paper, tunnelling current and magnetoresistant are calculated analytically in the nearly free electron approximation for magnetic tunnel junction (MTJ), consisting two ferromagnetic layers separated by two adjacent insulating barriers which have different barrier heights and different dielectric constants. The results of our calculation show for the whole range of bias voltages the value of TMR in the structure with two adjacent barriers is higher than the value of TMR in the structure with single barrier. Although the decreasing rate of TMR value vs bias voltage for two kinds of structures, mentioned above , has no considerable difference.کلیدواژه ها
Magnetic tunnel junctions; Tunnel current; Tunnel magnetoresistanceمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.