Silicon nano-grass and nanowires on silicon substrates using high precision reactive ion etching

  • سال انتشار: 1388
  • محل انتشار: سومین کنفرانس نانوساختارها
  • کد COI اختصاصی: CNS03_286
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 2062
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

M.H Mehran

Thin Film and Nanoelectronic lab, School of Electrical and Computer Eng, University of Tehran, Iran

Z Sanaee

S Mohajerzadeh

چکیده

We report the evolution of nano-grass and nano-wires on silicon substrates using a novel high precision hydrogenation-assisted reactive ion etching (RIE). The formation of Si nano-grass and nano-wires in desired locations and features is possible using photolithography combined with a sequential chromium deposition and RIE removal of the silicon surface. The wetting angle of the processed silicon has been measured and compared with a bare silicon surface. It has been observed that the inclusion of the nano-grass at the surface of silicon converts it into a hydrophilic material which could be used for liquid-based acceleration and inclination sensors. Also the treated surface has been examined with oil contamination further evidencing its wetting ability.

کلیدواژه ها

“silicon nano grass”; “Black silicon”; “Hyrogen assisted Reactive Ion Etching”; “Wetting angle”

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.