مشخصه یابی ارزیابی رفتار دی الکتریک لایه های نازک تیتانات استرانسیم دوپ شده با منیزیم

لایه های نازک تیتانات استرانسیم خالص دوپ شده با مقادیر 10، 15 20 درصد منیزیم با استفاده ازفرایند رسوب نشانی فاز مایع بر روی زیرلایه های آلومینایی تهیه شدند. خواص ساختاری دی الکتریک نمونههای آنیل شده در دمای 700 درجه سانتیگراد به مدت ساعت اندازه گیری تاثیر افزودن منیزیم بر این خواصمورد بررسی مطالعه قرار گرفت. نتایج حاکی از ورود یون های منیزیم به ساختار پروسکایت محلول جامد بدونظهور هرگونه فاز ثانویه تا 15 درصد مولی منیزیم بود. زمانیکه مقدار منیزیم دوپ شده به 20 درصد مولی رسید،فاز ثانویه MgO در ترکیب مشاهده شد. ثابت اتلاف دی الکتریک نمونه ها با افزایش مقدار منیزیم به ترتیب افزایش کاهش داشت. حداکثر مقدار ثابت (ε(r)-280) حداقل اتلاف دی الکتریک (tanδ=0/0018) در 15 درصد مولی منیزیم بدست آمد. افزایش مقدار منیزیم به 20 درصد منجر به افت شدید ثابت دی الکتریک افزایشچشمگیر اتلاف دی الکتریک نمونه ها به دلیل حضور فاز ثانویه شد.

کلیدواژه ها:

فروالکتریک ، تیتانات استرانسیم ، لایه نازک ، دوپت منیزیم ، مشخصه یابی ، رفتار دی الکتریک