سویچ زنی حافظه ای در نیم رساناهای آمورف لیتیوم-وانادیوم-فسفات
- سال انتشار: 1387
- محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
- کد COI اختصاصی: IPC87_274
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1021
نویسندگان
چکیده
نمونه های آمورف، با فرمول عمومی mol%50) P2O5 - x mol% V2O5 -(50-x) mol% Li2O) ، به صورت فیلم دمشی ساخته شده است. در میدانهای الکتریکی بالا، سویچ زنی الکتریکی در این نمونه ها مشاهده می شود که به علت گذار از حالت آمورف به کریستال است و در نتیجه آن، مقاومت ماده در ناحیه سویچ کرده به شدت کم می شود. با افزایش اکسید لیتیوم، ولتاژ سویچ زنی بیشتر می شود. علت این رفتار به ایجاد گروه های مولکولی ویژه در شبکه نسبت داده می شود که موجب کاهش پیوستگی شبکه آمورف می شود. مشاهده می شود که این نمونه ها، بعد از سویچ زنی، با از بین رفتن میدان الکتریکی، حالت مقاومت کم را در خود حفظ می کنند و به عبارت دیگر، دارای حافظه هستند.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- Analytical determination of flexural rigidity of thin-walled pultruded composite I-beams
- Matrix-Dominated Damage Process in CFRP Composite Laminates underFlexural Loading Condition
- Indentation Size Scale Effect on Mechanical Properties of Cold SprayCoating
- Determination of Forming Limit Diagrams for Tailor Welded Blanks
- Control of dynamic building façade: design, analysis and experiments
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.