تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111)
- سال انتشار: 1387
- محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
- کد COI اختصاصی: IPC87_271
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1134
نویسندگان
چکیده
هر چند ضخامت گیت اکسیدی که امروزه در نانو ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفت بکار می رود حدود یک نانومتر است ولی نیاز صنعت همان طوری که در قانون مور پیش بینی شده است کم تر از یک نانومتر می باشد. به همین دلیل، یک سری آزمایشاتی را به منظور رشد نازک ترین اکسید خالص انجام داده ایم که توانستیم حدود 7 آنگستروم اکسیدسیلیکون تمیز را تحت شرایط فراخلا بر زیرلایه ی Si(III) رشد دهیم. آنگاه ساختار پیوندهای شیمیایی آن را با تکنیک فوتو گسیلی XPS مطالعه کردیم.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- Analytical determination of flexural rigidity of thin-walled pultruded composite I-beams
- Matrix-Dominated Damage Process in CFRP Composite Laminates underFlexural Loading Condition
- Indentation Size Scale Effect on Mechanical Properties of Cold SprayCoating
- Determination of Forming Limit Diagrams for Tailor Welded Blanks
- Control of dynamic building façade: design, analysis and experiments
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.