توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 831
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_267
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با رسوبگیری از محلولهای شیمیائی استات کادمیم,سولفیت سدیم و پودر سلنیم تشکیل شده اند. اثر دمای پخت, مدت زمان پخت ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است. وابستگی دمائی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرارگرفته است. اندازه نانوبلورها از داده های طرح پراش تخمین زده شده است. نشان داده شده است که می توان با کنترل پارامترهای تهیه، گاف انرژی را کنترل نمود.
نویسندگان