Numerical analysis of long channel CNT-FET by considering field dependent mobility

  • سال انتشار: 1397
  • محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
  • کد COI اختصاصی: ICELE03_219
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 385
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Sajjad Dehghani

Faculty of advanced technologies, Shiraz University, Shiraz, Iran

چکیده

While much numerical studies have been done for short channel carbon nanotube field effect transistors (CNT-FETs),there are only a few numerical reports for long channel devices. The Long channel CNT-FETs are widely used inChemical sensors and biosensors as well as light emitters. Therefore numerical study is helpful to better understandingthe behavior of such devices. In this paper, we numerically analyze long-channel CNT-FETs. To increase the accuracyof simulation, especially for the case of higher bias, filed-dependent mobility was applied to the equations. Obtainedresults are in consistent with experimental data. The effect of gate voltage and CNT diameter on the current wasinvestigated.

کلیدواژه ها

Carbon nanotube, long channel CNT-FET,Numerical analysis

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.