A New Ternary Memory Cell Based on CNTFETs Using Forced Stack Technique

سال انتشار: 1397
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
کد COI اختصاصی: ICELE03_124
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 569

نویسندگان

۱Department of Electric, Faculty of Electrical and Biomedical Engineering , Qazvin Branch, Islamic Azad University, Qazvin, IRAN

Ali Shahhoseini

Department of Electric, Faculty of Electrical and Biomedical Engineering , Qazvin Branch, Islamic Azad University,Qazvin, IRAN

چکیده

In this paper, we first designed a new ternary inverter gate with Forced Stack (FS) technique using CNTFETs,called FS-STI, then with using cross-coupled two FS-STI inverters, a new ternary memory cell based on CNTFETtransistors presented. In the new memory cell, a ternary buffer gate has been used in addition to using FS-STI inverters.Simulation results indicated that power consumption of proposed memory cell in read and write operations is less thanthe conventional ternary memory cell. Also, standby power of proposed ternary memory cell is improved compared toother types. Instead, delay in read and write operations of proposed ternary memory cell increased. But, power delayproduct of the proposed memory cell improved compared to conventional memory cell.

کلیدواژه ها

CNTFET, SRAM, Forced Stack, Power consumption

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.