تعییین انرژی های مشخصه در لایه نازک سیلیکون کرباید ساخته شده به روش بخار شیمیایی با سیم داغ در فشارهای گاز متفاوت
- سال انتشار: 1397
- محل انتشار: اولین کنفرانس ملی میکرو نانو فناوری
- کد COI اختصاصی: MNTECH01_091
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 502
نویسندگان
دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان
دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان
دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان
چکیده
در این روش ساخت لایه نازک سیلیکون کرباید پارامترهای کنترلی زیادی وجود دارد که از جمله فشار جزیی گاز ورودی میباشد. پس از تکمیل فرایند ساخت، اثر تغییرات این پارامتر بر ویژگی های اپتیکی و ضریب شکست لایه ها از طریق اندازه گیری طیف عبور UV-Vis_NIR محاسبه گردید. بررسی چگونگی تغییر در مقادیر انرژی از طریق ضریب شکست نشان میدهد با افزایش شار ورود گاز برای نسبت سیلان به متان از مقادیر 5/10 تا2،5/50 مقدار گاف انرژی را از 2.26ev به 1.88ev کاهش می باید.کلیدواژه ها
فشار جزیی گازهای، انرژی مشخصه لایه نازک SiC،لایه های نازک SiC با رسوب بخارشیمیایی توسط سیم داغمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.