تصحیح و مدل سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیم رسانا (MOSFET) باکانال کوتاه و کانال بلند در تکنولوژی CMOS

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 541

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

UTCONF02_115

تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله به بهبود عملکرد ترانزیستور ماسفت پرداخته شده است. در این تحقیق نوع مستطیلی را انتخاب کرده و در ابتدا پارامترهای ساختاری آن مانند ضخامت اکسید، طول گیت و میزان ناخالصی را برای رسیدن به پاسخ بهتر بهینه می کنیم و سپس یک ساختار جدید با استفاده از دو گیت مختلف برای آن پیشنهاد می دهیم تا به عملکرد بهتری برسیم. هدف اصلی این مقاله بهبود اثرات کوتاه کانال ترانزیستور ماسفت مستطیلی می باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، ماسفت ، اکسید ، گیت و کوتاه کانال

نویسندگان

علیرضا اشرف زاده مارنونی

کارشناس ارشد برق الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه.