بررسی ویژگی های اپتیکی نانو لایه های اکسید روی (ZnO) به منظور بهینه سازی سلول های خورشیدی

در این پژوهش به مطالعه اثر عوامل متفاوت لایه نشانی بر خواص متفاوت به ویژه اپتیکی لایه هاینازک اکسید روی (ZnO) که با استفاده از روش کندپاش مگنترون تولید شدند پرداخته شده است. نمونه هایی با ضخامت های (25-50) نانومتر و آهنگ انباشت (3/7-0/27) نانومتر بر ثانیه در دما های متفاوت (550-325) درجه سلسیوس تولید شدند. همچنین اثر هر یک از این پارامتر ها بر ویژگی های نوری انها بررسی گردید.توان عبور دهی،انرژی باندگاف،ضریب شکست و ضریب خاموشی مورد مطالعه قرار گرفت. از دستگاه اسپکترومتر دو پرتوی در گستره 200 تا 1100 نانومتر بهره گرفته شد. برای اندازه گیری دقیقتوان عبور دهی و بازتاب نوری لایه های مذکور در شرایط متفاوت،تاثیر شار اکسیژن دهی نیز روی خواصاپتیکی انها مورد بررسی قرار گرفت. هرچه ضخامت لایه کمتر شود توان عبور دهی فزونی میابد ولی انرژیگاف تغییر مختصر کاهشی نشان میدهد.در اهنگ انباشت کمتر انرژی باند گاف بیشتری ایجاد می گردد. امادمای اکسیداسیون هرچه در دماهای بالاتر باشد توان عبور دهی قدری فزونی می دهد ولی روی انرژیباندگاف تاثیری بسزایی ندارد.لایه های با ضخامت بالاتر ضریب شکست بیشتری داشته ولی ضریب خاموشیکمتری دارند و در طول موج های متفاوت ضریب شکست بین 1.2 تا 1.8 تغییر نشان داد و ضریبخاموشی در طول موج های 300-400 نانو متر برای ضخامت های متنوع دگرگونی دارد و بعد از آن مقدارش کاهش نشان می دهد و سپس ثابت می ماند.

کلیدواژه ها:

لایه نازک اکسید روی ، ویژگی های اپتیکی ، ضرایب شکست ، آهنگ انباشت ، دمای لایه نشانی