خواص ساختاری و ترمو دینامیکی Ga27Ge3 با استفاده از نظریه تابعی چگالی

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 382

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCNTA06_054

تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابعی چگالی اثرات ناخالصی سیلیکون بر نانو کلاستر Ga30 را بررسی کرده ایم. تعداد 500 ساختار مختلف را جهت بدست آوردن حالت پایه نانو سیستم Ga27Ge3 انتخاب کرده و مورد مطالعه قرار دادیم. با استفاده از نمودار ظرفیت گرمایی دمای ذوب نمونه را محاسبه کرده و با دمای ذوب Ga30 مقایسه شده است. ما نشا ن دادیم که ناخالصی های ژرمانیوم اثرات قابل توجهی بر خواص ترمودینامیکی اتم های میزبان دارند. برعکس Ga30، گرمای ویژه Ga27Ge3 به طور واضح نشان می دهد که در دمای حدود 460 کلوین ذوب اتفاق افتاده است و باعث شده است Ga30 که نقطه ذوب مشخصی نداشت و در یک بازه دمایی ذوب می شد هم اکنون با اضافه کردن ناخالصی دارای نقطه ذوب معلوم و مشخص شده است.

نویسندگان

سید محمد قاضی

استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه فسا، فسا