طراحی و شبیه سازی حسگر و تقویت کننده فشار بر پایه فناوری نانولوله های کربنی

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 331

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC04_023

تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله سعی بر این است که بهبود عملکرد فناوری نانولوله کربنی در ساخت حسگر فشار نسبت به حسگرهای استرین گیج و نیز تقویت کننده های CNTFET نسبت به نمونه های موجود در فناوری CMOS برای مدار حسگری در حد نانومتر بررسی شود. این تحلیل با اعمال فشار جزیی درحد وزن چند مولکول اکسیژن به نانولوله ای که در نقش یک جوشن خازن است، شروع می شود و با سنجش تغییرات طول و قطر و مدول یانگ در نرم افزار ANSYS ادامه می یابد. با تبدیل تغییر ظرفیت حسگر به پتانسیل الکتریکی و با اعمال خروجی به تقویت کننده و با استفاده از نرم افزار Hspice، اثر تغییرات فشار اعمالی بررسی می شود. مقایسه نتایج بدستآمده از طریق فناوری CNTFET با فناوری MOS در بهره یکسان، نشان از بهبود اساسی توان مصرفی، پهنای باند، زمان نشست، آهنگ تغییرات و مقاومت خروجی دارد، هرچند حاشیه فاز کاهش جزیی دارد.

کلیدواژه ها:

حسگر فشار ، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، تغییرات مدول یانگ

نویسندگان

محمد رمضانی شریف آبادی

دانشکده مهندسی برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران

سیدمحمدعلی زنجانی

گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

رضا رمضانی شریف آبادی

دانشکده فیزیک، دانشگاه تهران

محمدرضا محمدصالحی

دانشکده فیزیک، دانشگاه تهران