شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی
- سال انتشار: 1396
- محل انتشار: ششمین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
- کد COI اختصاصی: NCNIEE06_141
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 456
نویسندگان
گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران
گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران
چکیده
در ادامه روند کوچک سازی ابعاد ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیم رسانای سیلیکونی و نزدیک شده به محدودیت های تکنولوژی سیلیکون، پیشنهادهای جدیدی جهت جایگزینی آن مطرح شده اند. ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی از جمله کاندیدای بلوک اصلی قطعات در آینده نانوالکترونیک هستند. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی و انواع آن از لحاظ ساختار و عملکرد بررسی می شود و شرح مقایسه ای از آن ها ارایه می گردد. سپس اثر مشخصات نانولوله کربنی به کار رفته در ساختار ترانزیستور بر مشخصات جریان – ولتاژ آن مورد مطالعه قرار می گیرد و در انتها نتایج تحقیق ارایه می گردد.کلیدواژه ها
ترانزیستور اثر میدان فلز اکسید نیم رسانا، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی، مشخصات جریان – ولتاژ، نانولوله کربنیمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.