شبیه سازی و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با مدل اشباع سرعت
- سال انتشار: 1396
- محل انتشار: ششمین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
- کد COI اختصاصی: NCNIEE06_138
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 472
نویسندگان
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
گروه مهندسی الکترونیک، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران
چکیده
در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی با کانال نانولوله کربن با لحاظ کردن اشباع حاملها شبیهسازی شده است. تاثیر پارامترهایی مانند طول نانولوله، قطر نانولوله وسرعت اشباع حاملها بر مشخصات الکترونیکی ترانزیستور بررسی و تحلیل شده است. برای CNT-FET با لحاظ کردن اشباع حاملها، منحنی جریان-ولتاژ قبل و بعد از اشباع حامل رفتار متفاوتی از خود نشان میدهد. همینطور رفتار تک قطبی و Ambipolarترانزیستور استخراج و بررسی شده است. بر اساس نتایج شبیهسازی، با کاهش طول نانولوله، افزایش قطر نانولوله و افازیش سرعت اشباع حامل-ها جریان درین افزایش مییابد.کلیدواژه ها
اشباع سرعت حامل، ترانزیستور اثر میدانی، نانولوله کربن، منحنی مشخصه جریان ولتاژمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.