شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1

  • سال انتشار: 1396
  • محل انتشار: کنفرانس ملی کاربرد فناوری های نوین در علوم و مهندسی، برق و کامپیوتر و IT
  • کد COI اختصاصی: TESCONF01_203
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 573
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

شاهین بازغی کیسمی

دانشجوی دکتری الکترونیک، دانشگاه آزاد واحد گرمسار، ایران

عبداله عباسی

استادیار, دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر, دانشگاه سمنان ,سمنان, ایران

چکیده

ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون که مخفف عبارت انگلیسی آن HEMT است نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان fet است. این نوع ترانزیستور، بعنوان یک نوسان کنندهء موج حامل مایکروویو بکار می رود. اولین بار در سالهای 1969 بررسی شد اما تا سال 1980 ترانزیستوری که بتواند این کار را بکند هنوز به بازار نیامده بود. در این سال بود که اولین نوع آن برای تست کردن آماده شد و در سالهای 1980 تست روی آن شروع گردید. گالیم AlGaAs و آرسانید گالیم GaAs است. علت اینکه از آرسانید گالیم در دو طرف آن استفاده شده برای اینست که حرکت الکترون را در آن ارتقا دهند و این عمده ترین کار برای یک ترانزیستور در نوسان های بالاست. اکثر HEMTها از نوع کانال n هستند تا به قابلیت حرکت و در نتیجه سرعت بالاتر دست یابند. در این مقاله ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون بررسی و شبیه سازی می شود. ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود که برای درک بهتر از عملکرد این نوع ترانزیستور، با استفاده از نرم افزار سیلواکو، شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.

کلیدواژه ها

ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون، نوسان های بالا، مراحل ساخت، منحنی مشخصات جریان ولتاژ

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.