وجیه الله پارسایی - عضو هیات علمی جهاد دانشگاهی استان مرکزی
امین سلیمانیان - دانشجوی کارشناسی ارشد برق افزارههای نانوالکتریک دانشگاه آزاد اراک
ریحانه طرلانی - مهندس فناوری اطلاعات دانشگاه صنعتی همدان

رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داده‎است. برخی از این چالش ها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که پایه و اساس آنها می‎باشد. افزایش این مسایل پژوهشگران را به فکر جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی انداخت، که به جای استفاده از ترانزیستورها و ابزارهای سیلیکونی که با چنین محدودیت هایی روبرو است، از مواد دیگری استفاده کنند. یکی از محتملترین جایگزینهای CMOS ، ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی (CNFET) است، که شامل نانو لوله های تک جداره نیمه هادی همجوار است که به دلیل خاصیت الکترونی عالی، قابلیت جایگزین شدن بر مدارات CMOS سیلیکونی را دارد. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) ،تاریخچه ،مزایا و محدودیت های آن ها را به طور اجمال مورد بررسی قرار می‎گیرد.سپس با استفاده از الگوریتم ژنتیک به بهینه سازی آن پرداخته میشود.

ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی(CNFET)، ،سرعت تغییر خروجی(Slew Rate)،زمان نشست(Settling Time)