اکرم نصرآبادی - واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی (نیشابور)، دانشگاه آزاد اسلامی، نیشابور، ایران
محمد جوادیان صراف - واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران

در این تحقیق تاثیر ضخامت گیت بر عملکردترانزیستورنانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدونپیوند (nnn) در حالت دوبعدی و سه بعدی بررسی و شبیه سازی شده است.. در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین کمترین تابع کاررا دارا می باشد. طول فلزات گیت مساوی 75 نانومتر، طول گیت 30 نانومتر، ضخامت نانوسیم 1نانومتر، ضخامت 1 (Sio2) نانومتر و ضخامت 3 (Hfo2) نانومتر و ضخامت گیت از 1 تا 5 نانومتر می باشد، NG=1× 1019 cm−3 ND = NS=1× 1020 cm−3. در این تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device Simulator 2D,3D برای شبیه سازی استفاده شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژآستانه (DIBL کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین)، (Ion جریان روشنی) و (Ioff، جریان خاموشی) می باشد در حالت کلی، با افزایش ضخامت گیت، DIBL کاهش، Ion افزایش، Ioff کاهش و ولتاژ آستانه افزایش می یابد. در ضخامت 1 و 2 نانو مقدار متغیرها تقریبا مساوی است، اما ازضخامت 2 نانوبه بعد تغییرات قابل ملاحظه است. در ضخامت 5 نانومترکاهش قابل توجهی در آثار کانال کوتاه وجود دارد. کاهش DIBL و Ioff و همچنین افزایش Ion و ولتاژ آستانه قابل ملاحظه است .در مجموع ساختارفوق گزینه ی مناسبی برای کاهش آثارکانال کوتاه می باشد.