اثر تراکم ناخالصی Ga بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های رسانای شفاف نانومتری ZnO:Ga تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز

لایه های نازک اکسید روی خالص و آلایش یافته (با تراکمهای 1 تا 3درصد وزنی) گالیوم به روش اسپری پایرولیزیز برروی زیرلایه شیشه نشانده شد. تاثیر میزان ناخالصی گالیوم روی خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها بررسی شد. طیف XRD نشانگر بسبلور بودن لایه ها با ساختار هگزاگونال و جهتگیری ترجیحی (002) بود. عبور متوسط در این نمونه ها در ناحیه مرئی حدود 90% است. گاف نواری اپتیکی آنها از 3/27eV تا 3/33eV تغییر می کند که با اثر برشتین - ماس قابل توجیه است. پهنای متوسط انرزی اورباخ در این نمونه ها در حدود 145eV بدست می آید. اندازه گیری های الکتریکی حاکی از کمینه بودن مقاومت ورقه ای در نمونه با 2% ناخالصی است که دارای بیشینه ضریب بهینگی است.

کلیدواژه ها:

اکسید روی ، رسانای شفاف ، خواص ساختاری ، خواص اپتیکی ، خواص الکتریکی