رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز
- سال انتشار: 1388
- محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
- کد COI اختصاصی: ICOPTICP16_010
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1026
نویسندگان
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
چکیده
رشد لایه نازک SiO2 با استفاده از تکنیک رسوب شیمیایی از پلاسمای گاز (PECVD) در دما و فشار پایین به گونه ای که بتوان از آن در ساخت آشکار سازهای فتودیودی آرایه ای ایندیوم آنتیموناید (InSb) استفاده کرد،مورد تاکید ما در این مقاله است. برای این منظور لایه SiO2 رشد داده شده باید متراکم بوده ودارای کمینه بارهای آزاد داخل اکسید و مرز مشترک اکسید نیمه هادی باشد. با استفاده از تنظیم نسبتهای گاز، توان و فشار و به کمک ازمایشاتی SEM,AFM و اندازه گیری نرخ خوردگی و تغییرات ظرفیت خازنی - ولتاژ، کیفیت الکتریکی اکسید را بهینه نماییم.کلیدواژه ها
اندازه گیری C-V، InSB,PECVD، تصاویر AFM,SEM .مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.