تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند جدید برای کاربردهای ولتاژ پایین
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 406
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IRCEM02_075
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند جدید برای کاربردهای ولتاژ پایین در باند فرکانسی 3/5GHz تا 13/5 گزارش می شود. در طبقه ورودی سورس مشترک، خنثی سازی جزیی نویز و تطبیق امپدانس ورودی با اعمال فیدبک ترانزیستوری موازی-موازی انجام می شود. استفاده از طبقه دوم کسکود با تکنیک افزایش بهره (gain boosting)، باعث جابه جایی قطب فرکانس بالا و درنتیجه دستیابی به بهره مسطح بزرگ می شود. نتایج شبیه سازی مداری نشان می دهد که تقویت کننده کم نویز پیشنهادی دارای تلفات برگشتی ورودی (S11) کمتر از 10dB- و بهره توان (14dB(S21 و عدد نویز کمتر از 3/7dB در بازه فرکانسی 3/5GHz تا 13/5 است. همچنین مصرف توان تقویت کننده کم نویز پیشنهادی از منبع تغذیه 0/9V در حدود 12mW است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی شیخی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه بیرجند
ابوالفضل بیجاری
استادیار دانشگاه بیرجند