بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید

  • سال انتشار: 1396
  • محل انتشار: نهمین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری
  • کد COI اختصاصی: EMAA09_035
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1086
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

عبداله عباسی

گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران.

طاهره رادسر

گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران.

چکیده

ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید 1 به دلیل خواص منحصر به فردش از جمله سرعت سوییچینگ بالا، نرخ بالای سیگنال به نویز و فرکانس کاری بالا یکی از قطعات به کار رفته در صنایع مخابراتی در باند مایکروویو می باشد که امروزه مدارهای مجتمع زیادی بر اساس این قطعه طراحی و ساخته شده است. در حقیقت تا اواخر دهه 1980 تمامی مدارات مجتمع میکروویو بر اساس این ترانزیستور ساخته می شد. اگر چه قطعات دیگری با کیفیت کاری بهتر جهت جایگزینی این ترانزیستور ساخته شدند، اما هنوز این ترانزیستور جایگاه ویژه ای در طراحی و ساخت مدارات سوییچینگ، تقویت کننده های قدرت و مدارات میکروویو دارد. در این تحقیق ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید بررسی و شبیه سازی می شود. در ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود، شماتیک ساختار ترانزیستور ارایه می شود و معادلات مربوطه استخراج می گردد، سپس مراحل مختلف ساخت ترانزیستور بیان می شود. در ادامه برای اینکه درک بهتری از عملکرد این نوع ترانزیستور ایجاد شود، با استفاده از نرم افزار سیلواکو این ترانزیستور شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.

کلیدواژه ها

ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید - مراحل ساخت - شبیه سازی – مشخصات جریان ولتاژ

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.