بررسی عددی گین و توان در یک تقویت کنندگی عملیاتی CMOS دو طبقه

پژوھش حاضر به طراحی تقویت کننده عملیاتی CMOS دو طبقه با گین بالا و توان پایین می پردازد. در حال حاضر وسایل الکترونیکی با اندازه کوچکتر، عمر باتری طولانی تر، گین بالا و کاھش مصرف برق، بیشتر مورد توجه می باشند. کاھش مصرف برق باعث کاھش اندازه باتری، کاھش وزن و عمر باتری طولانی تر می شود. در سه دھه گذشته، پیچیدگی مدارھای مجتمع آنالوگ به طور چشمگیری افزایش یافته است. ھدف از این طراحی کاھش پیچیدگی مدار و بھینه سازی سطح و توان مدار است. از اینرو جھت نیل به این ھدف از دو روش محاسبات نظری و شبیه سازی توسط نرم افزارھای کامپیوتری مانند Pspice و Hspice استفاده می شود. در نھایت با توجه به نتایج حاصل از تحلیل مدار، بھترین پارامترھای W وL که باعث می شود گین مدار زیاد، مقدار ولتاژ و توان مصرفی پایین باشد را انتخاب می کنیم. نتایج نمودارھای شبیه سازی با نتایج کارھای انجام شده قبلی مقایسه خواھد شد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده عملیاتی CMOS دو طبقه ، شبیه سازی ، توان پایین ، گین بالا