مطالعه و بررسی اثر دوپایداری نوری در یک قطعه دی الکتریک کامپوزیت شامل گوی های دی الکتریک پوشیده شده با یک لایه گرافن

در این تحقیق، به مطالعه و بررسی میدان الکتریکی خروجی ناشی از یک میدان الکترومغناطیسی اعمالی با فرکانسی از مرتبه ترا هرتز بر یک قطعه دی الکتریک کامپوزیت شامل گوی های دی الکتریک با ابعاد نانومتر که توسط یک لایه کروی گرافن کاملا پوشیده اند و در یک محیط میزبان قرار دارند، پرداخته شده است. نکته حایز اهمیت مشاهده اثرغیر خطی کر در این سیستم می باشد زیرا این پدیده بسیار مهم در اپتیک غیر خطی در یک تک لایه گرافن نسبت به فلزات قوی تر و ملموس تر است. این اثر بیان می کند که رسانندگی یک محیط غیر خطی خود تابعی از شدت میدان تابشی است یعنی (σ=σ_0+|E|^2 σ_3 ). بعد از انجام محاسبات تیوری و شبیه سازی های کامپیوتری، مشاهده می شود که اندازه دامنه ی میدان الکتریکی خروجی از این سیستم، رفتار دو پایداری از خود نشان می دهد و به پارامترهای هندسی و فیزیکی از قبیل شعاع نانو ذره، ضرایب دی الکتریک داخل و خارج ذره، انرژی فرمی الکترون های رسانشی، طول موج نور تابشی، ضریب پر شدگی وابسته می باشد. در پایان نشان داده می شود که با انتخاب پارامتر های مناسب می توان بیشترین گستره از دوپایداری را برای میدان خروجی داشت.