طراحی ساختار نوین برای بهبود ولتاژ مدار باز و ضریب پرشدگی در سلولهای خورشیدی GaAs

  • سال انتشار: 1395
  • محل انتشار: پنجمین کنفرانس انرژی های تجدیدپذیر و تولید پراکنده ایران
  • کد COI اختصاصی: ICREDG05_070
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 383
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

سمانه شربتی

عضو هییت علمی گروه الکترونیک - دانشگاه سمنان

سیدسعید افضلی

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک - دانشگاه سمنان

نگین کوچک پور

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک - دانشگاه سمنان

چکیده

با پیشرفتهای اخیر در طراحی افزاره، بازدهی سلولهای خورشیدی تک پیوندی ) Single Junction ) GaAs به حد تیوری خود نزدیک شده است. هدف از این مقاله، طراحی ساختارهای نوین برای سلول GaAs بمنظور افزایش بازدهی آن میباشد. در این ساختارها سعی بر آن استکه با در نظر گرفتن بازترکیب تابشی و چرخه جذب فوتون، جریان اتصال کوتاه سلول افزایش و با کاهش بازترکیب غیرتابشی، ولتاژ مدار باز سلول بهبود یابد. کاهش مکانیزم بازترکیب از طریق القا میدان الکتریکی با افزایش ضخامت AlGaAs و تدریجی نمودن توزیع ناخالصی دهندههامیباشد. در این ساختار طراحی شده بازدهی به میزان8/3%بهبود یافته است.

کلیدواژه ها

آلیاژ AlGaAs ، بازترکیب تابشی، بازترکیب غیرتابشی، سلول تک پیوندی GaAs

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.