طراحی ساختار نوین برای بهبود ولتاژ مدار باز و ضریب پرشدگی در سلولهای خورشیدی GaAs

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 376

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICREDG05_070

تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396

چکیده مقاله:

با پیشرفتهای اخیر در طراحی افزاره، بازدهی سلولهای خورشیدی تک پیوندی ) Single Junction ) GaAs به حد تیوری خود نزدیک شده است. هدف از این مقاله، طراحی ساختارهای نوین برای سلول GaAs بمنظور افزایش بازدهی آن میباشد. در این ساختارها سعی بر آن استکه با در نظر گرفتن بازترکیب تابشی و چرخه جذب فوتون، جریان اتصال کوتاه سلول افزایش و با کاهش بازترکیب غیرتابشی، ولتاژ مدار باز سلول بهبود یابد. کاهش مکانیزم بازترکیب از طریق القا میدان الکتریکی با افزایش ضخامت AlGaAs و تدریجی نمودن توزیع ناخالصی دهندههامیباشد. در این ساختار طراحی شده بازدهی به میزان8/3%بهبود یافته است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

سمانه شربتی

عضو هییت علمی گروه الکترونیک - دانشگاه سمنان

سیدسعید افضلی

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک - دانشگاه سمنان

نگین کوچک پور

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک - دانشگاه سمنان