بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET

  • سال انتشار: 1395
  • محل انتشار: اولین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
  • کد COI اختصاصی: ISBNCONF01_017
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 807
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

فرشته رضایی ارپاتپه

دانشگاه آزاد تهران رشته برق گرایش کنترل

جواد رضایی ارپاتپه

دانشگاه محقق اردبیل رشته برق گرایش قدرت

بنیامین قنبرعالی

دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق الکترونیک گرایش دیجیتال

علی قوسی آدم درسی

دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق گرایش مدارهای مجتمع خطی

چکیده

با پیشرفت تکنولوژیهای زیر میکرومتر، صتعت الکترونیک در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و بکتربردن ادوات سیلیکونی در مقیاس بزرگ مجتمعسازی پیش میرود . این مقاله طرد جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرر پدیده خودگرمایی ارایه می دهد. ایده اصلی در ارایه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si۳N۴ میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید

کلیدواژه ها

ترانزیستور اثر میدان، سیلیسیم روی عایق، خود گرمایی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.