مژده فدایی - کیزیف دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه
علی بهاری

در این مقاله رسانایی کوانتیدهی نانولوله را با در نظر گرفتن آن به صورت یک سیم ک وانتومی بررسی کردهایم. این کار را با توجه به مقاومت های تماسی و جریان عبوری از کانال ترانزیستور و براساس احتمال عبور حامل ها از کانال CNTFET انجام داده و در آن از روش لاندائو بوتینگر استفاده نموده ایم .در این کار موفق شدیم ضریب عبور جریان از کانال را در ک لیه –ی دماها بدست آوردیم نتایج بدست آمده نشان می دهد که تغییرات جریان عبوری از کانال CNT شدیداً به ویژگی های ساختاری کانال، ولتاژ اعمالی و نوع تماس وابسته است.

ترانزیستور اثرمیدان نانولوله، سد شاتکی، تونلزنی کوانتومی، انعکاس کوانتومی، ضریب عبور