مجید قناعت شعار - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمه رساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پل
مرضیه ضمیری - آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمه رساناهای مغناطیسی، پژوهشکده لیزر و پل
محمدمهدی طهرانچی - آزمایشگاه مگنتوفتونیک، پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی،
علی جزایری قره باغی - گروه مواد و متالورژی، پژوهشکده توسعه تکنولوژی

با توجه به اهمیت عمق پوسته در پاسخ امپدانسی مواد مغناطیسی، با اعمال تغییراتی در سطح خارجی نمونه می توانیم نقطه موثر میدان را جابجا کرده و تغییراتی در پاسخ امپدانسی بوجود آوریم. در این مقاله اثر لایه نشانی نقره به روش تبخیر پرتو الکترونی با ضخامت های مختلف بر امپدانس مغناطیسی نوار کبالت پایه Co68.15Fe4.35Si12.5B15 مورد بررسی قرار گرفته است. با افزایش ضخامت نقره به عنوان یک رسانا در سطح نوار کبالت پایه و تغییر عمق نفوذ در نوار آمورف، جریان از داخل نوار آمورف به سمت نقره رانده می شود و در نتیجه درصد پاسخ امپدانسی افزایش می یابد.