اثر غلظت کانال ، بر روی عملکرد ماسفت نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای چهار فلزی

در این تحقیق تاثیرغلظت کانال روی عملکردماسفت نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای چهارفلزی بدون پیوند (nnn) در دو حالت با طول فلزات گیت مساوی 7/5 نانومتر و طول فلزات گیت مختلف(21 و 8و 6و 4)نانومتر بررسی و شبیه سازی شده است. طول گیت 30 نانومتر، ضخامت نانوسیم 1نانومتر، ضخامت ( Sio2 2 ) نانومتر و ضخامت( Hfo2 ) 3نانومتر وضخامت گیت 2 نانومترمی باشد. در این تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device Simulator برای شبیه سازی استفاده شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژآستانه، DIBL (کاهش سدپتانسیل ناشی از ولتاژدرین )، Ion جریان روشنی و Ioff جریان خاموشی می باشند.افزایش غلظت کانال به مقدارقابل ملاحظه ای ولتاژآستانه را کاهش می دهد.به طوری که در غلظت 1E19cm-3 ولتاژآستانه حدود 0/75 ولت و در غلظت E20cm-3 ولتاژآستانه حدود 0/54 ولت و در غلظت های بیش از E21cm-3 ولتاژآستانه به کمتر از 0/3 3ولت می رسد.باافزایش غلظت کانال Ion افزایش می یابد. ودر حالتی که طول فلزات گیت مساوی هستند این افزایش بیشتر می باشد.بیشترین تغییرات در غلظت های 1E19cm-3 و 1E20cm-3 و 1E21cm-3 مشاهده می شود . باافزایش غلظت کانال Ioff افزایش می یابد. ودر حالتی که طول فلزات گیت مساوی هستند این افزایش بیشتر می باشد.ودر غلظت 1E20cm-3 ؛ Ioff=0 باافزایش غلظت کانال DIBL افزایش می یابد. ودر حالتی که طول فلزات گیت مساوی هستند این افزایش بیشتر می باشد. ودر غلظت 3- 1E20cm و کمتر از آن DIBL=0 .واز 1E24cm-3 به بعد به طور ناگهانی DIBL افزایش می یابد. بادر نظر گرفتن چهار متغیر 1E19cm-3 مناسب ترین غلظت برای کانال می باشد.

کلیدواژه ها:

تمام گیت استوانه ای چهار فلزی ، نانوسیمی سیلیکنی ، ولتاژآستانه ، DIBL ، غلظت کانال