بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p
- سال انتشار: 1395
- محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
- کد COI اختصاصی: ELEMECHCONF04_212
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 777
نویسندگان
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
چکیده
در این مقاله، با ارایه یک ساختار کارا برای ترانزیستور مسفت سیلیکن روی عایق (Silicon on insulator metal semiconductor field effect transistor) ولتاژ شکست آن به روش کنترل پتانسیل، بهبود یافته است. در این ساختار یک جعبه با ناخالصی نوع p در داخل کانال ترانزیستور، زیر لبه گیت در سمت درین قرار گرفته که توانسته است توزیع خطوط پتانسیل در این ناحیه را اصلاح کرده و نیز قله میدان الکتریکی را کاهش دهد و به این ترتیب ولتاژ شکست این ساختار نسبت به ساختار پایه (conventional) افزایش پیدا کرده است. ساختار پیشنهادی p-box SOI MESFET نام نهاده شده است. لازم به ذکر است که شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار سیلواکو انجام گرفته است.کلیدواژه ها
مسفت، سیلیکن روی عایق، ولتاژ شکست، میدان الکتریکی، چگالی جریان، پتانسیل الکتریکیمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.