مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه

در این مقاله با استفاده از مدل پتانسیل دو بعدی بدست آمده و بر اساس مدل تحلیلی ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گیتی که در اثر آن وارونگیحامل ها در کانال رخ می دهد, به بررسی برخی آثار کانال کوتاه پرداخته شده است. از جمله مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورماسفت با گیت دومادهای احاطه شده , تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و شیب زیر آستانه است. مدلسازی اثراتکانال کوتاه بر مبنای مفهوم کاتد مجازی و در شرایط کاری زیر آستانه انجام گرفته است. به عبارتی کاتد مجازی صفحه ای در امتداد طولکانال است که مینیمم پتانسیل درآن اتفاق می افتد. در این ساختارها به دلیل دومادهای بودن گیت و احاطه شدن کامل کانال با گیت, کنترلمطلوبی روی آثار کانال کوتاه خواهیم داشت.در پایان تطبیق مناسب بین نتایج شبیه سازی و مدل های ارایه شده, صحت مدل ها راتایید می کند.

کلیدواژه ها:

اثرات کانال کوتاه ، کاهش ولتاژ آستانه ، کاهش سد پتانسیل با القای درین ، شیب زیر آستانه