Germanium Tin Double gate Nano Scale Tunnel Field Effect Transistors for logic application

  • سال انتشار: 1395
  • محل انتشار: چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
  • کد COI اختصاصی: COMCONF04_051
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 642
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Danial Keighobadi

Department of Electronic Engineering, Semnan university

Saeed Jafari

Department of Electronic Engineering, Imam Khomeini Naval University of Noshahr

Majid Eshagh Nimvari

Department of Electronic Engineering, Imam Khomeini Naval University of Noshahr

چکیده

Germanium Tin (Ge1-xSnx) as a group IV material has a direct and small band-gap for x > 0.11, which is attractive for the application in tunneling field-effect transistor (TFET). In this work, the design of Ge1-xSnx TFET operating at low supply voltages is investigated by simulation. Device simulation results show that Ge1-xSnx–based TFET can achieve high tunneling current and has potential for logic applications using sub-0.4 V supply voltage

کلیدواژه ها

Tunnel FET, Germanium, logic, supply voltage

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.