ترانزیستورهای تونلی بر اساس اکسید تیتانیوم برروی ویفر سیلیکان
محل انتشار: دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,372
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE12_183
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس ترکیب مناسبی از اکسید تیتانیوم و سیلیساید نیکل برروی ویفر سیلیکان ( 100 ) با موفقیت ساخته شده و نتایج مربوط به خواص الکتریکی - فیزیکی این ادوات بررسی می گردند . در این ادوات لایه اکسید تیتانیوم بعنوان سدی در مقابل تونل زنی از لایه بالایی به لایه سیلیساید میانی عمل کرده که با اعمال ولتاژ مناسب پدیده تونل زنی اتفاق افتاده و جریان الکتریکی حادث می گردد. این ساختار همانند ترانزیستورهای دو قطبی عمل کرده و از سه ناحیه امیتر – بیس و کلکتور تشکیل شده که هر سه لایه توسط اکسید تیتانیوم از هم جدا شده اند . لایه نشانی کلیه نواحی این ترانزیستورها توسط تکنیک پراکنش و بصورت پشت سر هم انجام شده است و با انتخاب ضخامتهای مناسب ضریب تقویت جریان برابر با 12 بدست آمده است . در ادامه کار و در جهت بهبود ساختار ترانزیستورها اکسید تیتانیوم با روش بخار شیم یایی استفاده شده است که ضریب دی الکتریکی در حد 19 الی 21 بدست آمده است. همچنین میدان شکستی برابر با 10به توان7 v/cm حاصل شده است.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور تونلی ، تقویت جریان ، اکسید تیتانیوم ، سیلیساید نیکل ، لایه نشانی با بخار شیمیایی ، سیلیکان
نویسندگان
اشکان بهنام
آزمایشگاه لایه نازک - گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :