بررسی حالت های تبهگن و ناتبهگن رسانایی در نانونوارهای گرافنی سه لایه

با استفاده از کاربرد گرافن در صنعت الکترونیک می توان به ترانزیستورهاى سریع و کوچکتر با مصرف انرژى کمتر و پراکندگى حرارتى بیشتر نسبت به ابزارهاى پایه سیلیکونى دست یافت. در این مقاله ابتدا یک مدل تحلیلی برای گرافن نانو ریبون سه لایه TGNR ارایه می شود . برای بیان رسانش در TGNR دیفرانسیل گیری نسبت به انرژی انجام می شود تا تعداد مدها در کانال عبور بدست آید. سپس، مقداررسانش برای ترانزیستورهای اثر میدانی یک بعدیD- TGNFET در حالت تبهگن و غیر تبهگن می تواند حاصل شود . همچنین رسانش به عنوان یک پارامتر پایه به فرم انتگرال های فرمی مشهور بررسی می شود که برای شناخت ویژگی های الکتریکی آن خیلی مفید است.

کلیدواژه ها:

گرافن سه لایه ، تقریب های تبهگن و ناتبهگن ، رسانایی ، ترانزیستور ، مدل تحلیلی