بررسی اثر مغناطو امپدانس غول آسا در فیلم نازک سه لایهای Fe/Cu/Ni
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 551
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DSCONF03_038
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1396
چکیده مقاله:
در این پژوهش، اثر مغناطو امپدانس غول آسا GMI در ساختارهای سه لایه ای مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت . سه لایه ای Ni/Cu/Fe با استفاده از روش تبخیر حرارتی روی زیرلایه شیشه تهیه شد . امپدانس سنسور GMI به عنوان تابعی از میدان مغناطیسی خارجی و فرکانس محرک، بررسی شد. همچنین اثرمغناطش عرضی روی سه لای های مورد بررسی قرار گرفت . درصد تغییرات GMI نسبت به میدان مغناطیسی اعمالی طولی در فرکانس MHz 5 معادل 68% و در فرکانس MHz 15 معادل 95% بدست آمد. نتایج بدست آمده نشاندهنده افزایش چشمگیر در بهبود کارایی سنسورهای مغناطیسی با ساختارهای چندلایه ای نسبت به موارد تک لایهای میباشد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سپیده قربانیان
گروه فیزیک، دانشکده فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران
سارا سادات پرهیزگار
گروه فیزیک، دانشکده فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران
محمود رضایی رکنآبادی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد
سید محمد الهی
گروه فیزیک، دانشکده فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :