مریم مطلبی اقگنبد - دانشجوی دکترا، دانشگاه ارومیه
حسن صدقی - استاد، دانشگاه ارومیه

لایه های نازک اکسید روی به روش سل- ژل با سرعت انباشت 3600 دور در دقیقه در دمای اتاق ساخته شدند. بلافاصله بعد از لایه نشانی لایه ها در دمای 200˚C به مدت 10 دقیقه حرارت دیدند. سپس لایه ها به مدت یک ساعت در دمای 500˚C بازپخت شدند. ضرایب بازتاب برای لایه ها با استفاده از دستگاه اسپکتوسکوپی الیپسومتری در زاویه فرود 70 درجه بدست آمدند. خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید روی از جمله ضریب شکست و ضریب خاموشی به دو روش مختلف اسپکتروسکوپی الیپسومتری و کرامرز کرونیگ محاسبه شد. گاف نواری انرژی نیز برای لایه های تهیه شده بدست آمد.

اکسید روی، لایه نازک، خواص اپتیکی، اسپکتروسکوپی الیسومتری، کرامرز- کرونیگ