بهنام آرندی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان، سپیدان، ایران
قهرمان سلوکی نژاد - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت، مرودشت، ایران
مسعود جباری - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت، مرودشت، ایران

طراحی مدارهای نو با توان مصرفی کم نیاز به استفاده از تکنولوژی هایی می باشد که قابلیت بالایی در توان مصرفی کم داشته باشند. هرچه توان مصرفی کاهش یابد میزان قابلیت اطمینان مدار طراحی شده برای استفادههای قابل حمل افزایش می یابد ساختار های مبتنی بر گرافن به دلیل داشتن تلافات کم در عبور جریان الکتریکی می توانند گزینه مناسبی برای این رویکرد باشند.در این تحقیق به اثر ناخالص سازی بر روی پیوندهایp-n گرافنی پرداخته می شود این اثر در حالت بایاس مستقیم و در حالت بایاس معکوس بررسی شده و همچنین اثر آن در مدل سازی و روابط جریان و ولتاژ بررسی شد. نتایج شبیه سازی نشان داد که میزان خطیبودن مدار در بایاس مستقیم ولتاژ آستانه افت داشته و مدار مشخصه ای کاملا خطی دارد. از طرف دیگر در بایاس معکوس در حالت با ناخالصی جریان نشتی افزایش می یابد. همچنین حساسیت جریان دیود در حالت با ناخالصی کاهش می یابد.

دیود، گرافن، ناخالصی